姓名: 黎明锴
电子邮箱: mkli@hubu.edu.cn
基本情况: 1976-04，中共党员，教授
中国电工学会电子束离子束专业委员会委员，中国物理学会终身会员，中国材料研究会高级会员，湖北省仪器仪表学会理事
研究方向: 宽进带半导体材料
学习经历:
1994-1998 武汉大学物理系应用物理专业学士学位
1998-2004 武汉大学物理科学与技术学院凝聚态物理专业博士
工作经历:
2004-2011 韩国东国大学量子功能半导体研究中心博士后、研究教授
2011-2018 英国365集团官网副教授
2016-2017 瑞典乌普萨拉大学物理与天文学系访问学者
2018-至今 英国365集团官网教授
代表性科研项目:
1. 主持国家自然科学基金面上项目, 等价阴阳离子共掺对ZnO晶体与电子结构的协同调控机制研究
2. 主持国家自然科学基金面上项目, 新型SnO2基超宽禁带合金半导体设计、禁戒跃迁解除与日盲紫外光探测器探索
代表性论文:
1. Formation of Ni Schottky contact and quasi-vertical Schottky barrier diode on SnO2 thin film, Appl. Phys. Lett. 126, 153501 (2025)
2. First-principles study of the rectifying properties of Au/SnO2 interface, Applied Surface Science, 637, 157939 (2023)
3. Multi-component ZnO alloys: bandgap engineering, hetero-structures, and optoelectronic devices, Mater. Sci. Eng. R, 147, 100661 (2022)
4. Nb-doped ZrxSn1-xO2: experimental and first-principles study, J. Appl. Phys. 130, 015702 (2021) .
5. Achieving p-type conductivity in wide-bandgap SnO2 by a two-step process, Appl. Phys. Lett. 118, 112102 (2021)
授权专利:
荣誉及奖励: 《物理学报》2024年度最有影响论文奖
